Telecom band light emission from confined hexagonal Ge grown on self-assisted GaAs NWs by MBE - Centrale Lyon - périmètre strict Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Telecom band light emission from confined hexagonal Ge grown on self-assisted GaAs NWs by MBE

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
licence : CC BY - Paternité

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https://hal.science/hal-04563995

Soumis le : mardi 30 avril 2024-11:29:38

Dernière modification le : samedi 4 mai 2024-03:22:16

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Dates et versions

hal-04563995 , version 1 (30-04-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04563995 , version 1

Citer

Iuliia Dudko, Anne Lamirand, Claude Botella, Philippe Regreny, Alexandre Danescu, et al.. Telecom band light emission from confined hexagonal Ge grown on self-assisted GaAs NWs by MBE. 2nd Workshop Hexagonal SiGe and related materials, Apr 2024, Milan, Italy. ⟨hal-04563995⟩

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